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让你快速判别双向永利国际损坏原因

来源:昆二晶发布日期:2018-06-27关注:-
         双向永利国际通常被称之为功率半导体模块,当可控硅损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,下面昆二晶小编教你4个小妙招,让你快速判别双向永利国际损坏原因。
         1、电压击穿,双向可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见,其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
         2、电流损坏,电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
         3、电流上升率损坏,其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
         4、边缘损坏,他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔,用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕,它导致电压击穿。

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         关于判别双向永利国际损坏原因的相关先容,文中已经讲解的比较清楚了,大家可以大体了解一下,希翼对您有所帮助,如果还有什么疑问请继续关注大家的网站。
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