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晶闸管通态电流上升率过高的四大注意事项

来源:昆二晶发布日期:2018-04-16关注:-
     大家都知道晶闸管的di/dt,就是大家常说的通态电流上升率。在晶闸管的使用中,di/dt这项参数的变化与晶闸管性能的体现有着密切关系。下面就为大家详细说说晶闸管通态电流上升率过高的四大注意事项:
    (1) 晶闸管的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系,di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中,普通晶闸管:Tj≤125°C,高频、快速晶闸管:Tj≤115°C。
    (2) 晶闸管的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力,它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲,可以明显减小器件开通时间和开通损耗,增强器件di/dt承受能力。触发脉冲要求为:触发电流幅值:IGM = (4至10倍) IGT;触发电流上升时间:tr小于1µs。

晶闸管


    (3) 晶闸管在承受过高的di/dt时,会在其芯片产生局部瞬时高温,这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此,使用者在任何时候,都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值,并且留有一定裕量。
    (4) 晶闸管的di/dt与其开通损耗关系极大,晶闸管高di/dt应用于高频率场合时,需考虑开通损耗上升引起的结温上升,用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。  
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